時創(chuàng)意作為國內(nèi)數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的新生代領(lǐng)軍企業(yè),近年來持續(xù)研發(fā)取得引人注目的產(chǎn)品成果,能夠滿足消費級、企業(yè)級、工規(guī)級等各類存儲需求。此次展會上,時創(chuàng)意的眾多展出產(chǎn)品,尤其是首次發(fā)布的SCY DDR5產(chǎn)品,受到現(xiàn)場許多專業(yè)觀眾的熱情關(guān)注。
一、DRAM內(nèi)存模組——
近幾年來,時創(chuàng)意一直在默默地積極布局DRAM內(nèi)存模組市場。目前,時創(chuàng)意已在DDR4產(chǎn)品上積累了大量的經(jīng)驗,建立成熟的生產(chǎn)制程體系,實現(xiàn)了批量生產(chǎn)和供貨。時創(chuàng)意緊跟國際行業(yè)技術(shù)潮流,在此次展會上全新發(fā)布了SCY DDR5 4800MHz內(nèi)存模組產(chǎn)品。
為了滿足客戶對于內(nèi)存帶寬持續(xù)增長的需求,實現(xiàn)下一代計算機(jī)系統(tǒng)的更高性能目標(biāo),SCY DDR5做了大量的改進(jìn),超過以前歷代SDRAM,通過一系列強(qiáng)大的新功能和增強(qiáng)功能實現(xiàn),在整體系統(tǒng)性能方面有極大提高,推進(jìn)高速傳輸信號的極限,并直接解決了內(nèi)存帶寬增長的挑戰(zhàn)。
SCY DDR5內(nèi)存模組著重提高容量和頻率。在新的標(biāo)準(zhǔn)之下,其內(nèi)存最高速度將會達(dá)到6.4Gbps,UDIMM(Unbuffered Dual In-Line Memory Modules無緩沖雙列直插式內(nèi)存模組)起始容量為16GB,最大容量為128 GB。
在容量層面,SCY DDR5單顆芯片容量可達(dá)到64Gbit,是DDR4 16Gbit的4倍。在帶寬上,SCY DDR5的帶寬將會是DDR4內(nèi)存的兩倍,預(yù)計將會達(dá)到4.8Gbps,總帶寬將會有38%的提升,最高可達(dá)到8400MHz左右。
相較DDR4,SCY DDR5做出了很大改進(jìn):
二、固態(tài)硬盤——
SCY PCIe SSD系列產(chǎn)品
G2000系列更是采用了全國產(chǎn)方案,采用長江存儲 Xtacking技術(shù)64層3D TLC閃存顆粒,連續(xù)讀寫性能最高可達(dá)到2590MB/s和2000MB/s,最大容量可支持1TB,同樣具備可靠性強(qiáng)、性能穩(wěn)定等產(chǎn)品特點。
國內(nèi)首發(fā)256GB eMMC產(chǎn)品
此次展會上,時創(chuàng)意展出了eMMC、LPDDR4/4X、eMCP、eSSD等嵌入式存儲芯片產(chǎn)品。時創(chuàng)意現(xiàn)已完成8GB-256GB全容量系列eMMC芯片的規(guī)模量產(chǎn)。該芯片產(chǎn)品憑借高可靠性、耐久性的產(chǎn)品特質(zhì),已經(jīng)通過多個國內(nèi)主流平臺的兼容性測試驗證和嚴(yán)格質(zhì)控標(biāo)準(zhǔn)要求。
當(dāng)前,在嵌入式存儲芯片領(lǐng)域,時創(chuàng)意已開啟UFS高端智能手機(jī)存儲芯片的研發(fā),預(yù)計2021下半年將會推出256GB-1TB UFS系列芯片。此外,還將持續(xù)推動eMCP、LPDDR、uMCP等嵌入式存儲產(chǎn)品的研發(fā),為全球客戶提供高品質(zhì)、可信賴的產(chǎn)品、解決方案與服務(wù)。
據(jù)了解,本屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會以“眾智匯芯 創(chuàng)越極技”為主題,完整覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,設(shè)置集成電路制造、半導(dǎo)體材料、AI+IOT+5G等九大展覽專區(qū),以技術(shù)展覽、產(chǎn)品發(fā)布、高端論壇等形式,賦能重慶加速構(gòu)建“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈,匯聚了全國眾多半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威專家學(xué)者、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)及35000+專業(yè)觀眾,共同探討產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展及未來趨勢。
在產(chǎn)品的研發(fā)和制造方面,時創(chuàng)意的優(yōu)勢在于構(gòu)建了從Wafer封裝到模組生產(chǎn)的存儲芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈體系,從2016年以來逐年加大研發(fā)投入,80%以上的研發(fā)和生產(chǎn)封裝設(shè)備均為國際一流、國內(nèi)首用。隨著設(shè)施設(shè)備不斷更新迭代,公司的固定資產(chǎn)已經(jīng)從2016年的3000萬積累到如今的3億元。公司于去年國內(nèi)首發(fā)8Die堆疊的256GB eMMC,NAND flash已實現(xiàn)16Die堆疊技術(shù),單顆TLC BGA容量達(dá)到1TB,芯片封裝直通率達(dá)到99.9%以上,整體封裝產(chǎn)能實現(xiàn)16KK/月。
目前,時創(chuàng)意立足深圳,三地運(yùn)營,全球布局,通過打造 “一個國際物流中心”、“兩個先進(jìn)智造工廠”、“三大全球營銷中心”、“四個研發(fā)實驗室”、“五個研發(fā)基地”,持續(xù)深化從芯片研發(fā)到交付的一體化網(wǎng)絡(luò)式產(chǎn)業(yè)布局。未來,時創(chuàng)意將攜手更多產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴們,快速邁入國際先進(jìn)的高端存儲領(lǐng)域,為全球客戶提供高品質(zhì)、可信賴的產(chǎn)品、解決方案與服務(wù)。