隨著5G技術(shù)的普及，8K高清視頻、億級像素攝像、VR游戲等新興海量應用和服務推動消費電子設備加速升級換代，對終端數(shù)據(jù)處理效率、產(chǎn)品運行穩(wěn)定性及電池續(xù)航能力等要求越來越高。
“LPDDR5作為新一代低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存產(chǎn)品，兼具高傳輸速率和低運行能耗的綜合性能優(yōu)勢，已成為智能手機、平板電腦等移動終端旗艦機型的主流內(nèi)存配置。
時創(chuàng)意在上一代LPDDR4X產(chǎn)品基礎(chǔ)上，自研推出全新一代嵌入式存儲產(chǎn)品——LPDDR5，此款產(chǎn)品傳輸速率高達6400Mb/s*，提供51GB/s*帶寬，工作電壓低至0.5V，是擁有更高傳輸速率、更低功耗、更多容量選擇的高端移動終端優(yōu)選存儲方案。”
Chapter 01
多Bank Group模式，傳輸速率提升50%
WCK信號設計進一步釋放性能潛力
時創(chuàng)意LPDDR5支持多Bank Group模式，增加更多并行數(shù)據(jù)通路，傳輸速率從LPDDR4X的4266Mb/s躍升至6400Mb/s，傳輸帶寬由34GB/s提升至51GB/s ，綜合性能較LPDDR4X大幅提升50%。同時，LPDDR5采用WCK時鐘架構(gòu)設計，以CK的2倍或4倍速率運行，且WCK是從主機到設備的單向時鐘，通過簡化SoC的時序收斂實現(xiàn)了傳輸速率的有效優(yōu)化。對于頻繁運行大型應用程序和復雜3D游戲的用戶而言，可感知的運行速度與響應能力得到了明顯提升。
Chapter 02
多組動態(tài)電壓調(diào)節(jié)，整體功耗降低30%
引入Data-Copy和Write-X技術(shù)
LPDDR5有VDD1/VDD2/VDDQ三組電壓配置，其中VDD2電壓采用VDD2H＋VDD2L兩種模式設計，VDD2H由1.1V降至1.05V、VDDQ由0.6V降至0.5V。基于新增的DVFSC、DVFSQ（動態(tài)電壓調(diào)節(jié)）功能，根據(jù)工作頻率動態(tài)調(diào)節(jié)工作電壓，在低速工作時，將VDD2H和VDDQ分別切換至更低電壓，使整體功耗降低30%。
此外，LPDDR5引入數(shù)據(jù)復制（Data-Copy）和寫X（Write-X）技術(shù)，前者可將單個針腳的數(shù)據(jù)直接復制到其它針腳，依靠更快的速度處理數(shù)據(jù)，從而更早地進入“睡眠模式”；后者則減少了SoC芯片和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗能，在高負載情況下提供更佳散熱，極大釋放了關(guān)鍵應用的耗電壓力。
Chapter 03
LPDDR5+LPDDR4X梯度式產(chǎn)品布局
滿足移動終端市場多樣化內(nèi)存需求
契合以5G、AI為引領(lǐng)的終端發(fā)展趨勢，時創(chuàng)意實現(xiàn)對LPDDR5、LPDDR4X和DDR4等多品類嵌入式存儲產(chǎn)品的全面布局，覆蓋各應用細分領(lǐng)域?qū)π阅?、容量和用途的多元化存儲需求，推動高端?nèi)存市場的良性增長，賦能新一代智能移動終端與應用的迭代升級，立志將智能終端應用體驗推升至新的高度。
